数据列表 | STx1(H)NK60(-1,R) |
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产品相片 | DPAK_369D?01 |
Reference Design Library | STEVAL-ISB001V1: 1 Cell Charger using Discretes |
标准包装 | 75 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | SuperMESH™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 1A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 8.5 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 156pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 30W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | 497-12782-5 STD1NK60-1-ND STD1NK601 |