数据列表 | 2SJ656 |
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产品相片 | TO-220AB |
产品目录绘图 | TO-220ML Package P-Channel & N-Channel Top |
标准包装 | 100 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 散装 |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 18A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 75.5 毫欧 @ 9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 74nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4200pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 2W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220ML |
产品目录页面 | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 869-1053 |