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2SK2606(F)|Toshiba
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2SK2606(F)
制造商型号: 2SK2606(F)
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PN
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 2SK2606
Mosfets Prod Guide
产品相片 TO-3P-3,TO-247-3
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.2 欧姆 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)68nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2160pF @ 25V
功率 - 最大值85W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装TO-3P(N)IS

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