BSD223P H6327,BSD223P H6327|Infineon Technologies代理分销-BSD223PH6327原装现货,PDF下载
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BSD223P H6327|Infineon Technologies
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BSD223P H6327
制造商型号: BSD223P H6327
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT363
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 BSD223P
产品相片 SOT-363 PKG
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)390mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 1.5µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)0.62nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)56pF @ 15V
功率 - 最大值250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装PG-SOT363-6

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