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BSO615C G|Infineon Technologies
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BSO615C G
制造商型号: BSO615C G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 BSO615C
产品相片 8-SOIC
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列SIPMOS®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3.1A,2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)110 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)22.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)380pF @ 25V
功率 - 最大值2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装PG-DSO-8
其它名称BSO615C
BSO615C G-ND
BSO615CG
BSO615CGT
BSO615CGXT
BSO615CINTR
SP000216311

手机网站相关详细信息:BSO615C G
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