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BSP125 E6327|Infineon Technologies
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BSP125 E6327
制造商型号: BSP125 E6327
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 BSP125
产品相片 SOT223-3L
产品变化通告 Product Discontinuation 28/Mar/2008
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SIPMOS®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)120mA (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)45 欧姆 @ 120mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 94µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)6.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)150pF @ 25V
功率 - 最大值1.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装PG-SOT223-4
其它名称BSP125E6327T
SP000011100

手机网站相关详细信息:BSP125 E6327
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