
| 数据列表 | BUK7K6R8-40E |
|---|---|
| 标准包装 | 1,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 40A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 6.8 毫欧 @ 20A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 28.9nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1947pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 64W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT1205,8-LFPAK56 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56D |
| 其它名称 | 568-9898-2 BUK7K6R840E115 |