典型关断延迟时间 | 42 ns | |
典型接通延迟时间 | 13 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 10 nC V @ -4.5 | |
典型输入电容值@Vds | 1000 pF V @ -10 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 2mm | |
封装类型 | MicroFET | |
尺寸 | 2 x 2 x 0.75mm | |
引脚数目 | 6 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2.4 W | |
最大栅源电压 | ±8 V | |
最大漏源电压 | -20 V | |
最大漏源电阻值 | 98 mΩ | |
最大连续漏极电流 | -6.6 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | P | |
配置 | 四漏极、单 | |
长度 | 2mm | |
高度 | 0.75mm |