典型关断延迟时间 | 9.8 ns | |
典型接通延迟时间 | 5 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 5.1 常闭 V @ 0 → 10 | |
典型输入电容值@Vds | 29 pF V @ 50 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 5mm | |
封装类型 | SOIC | |
尺寸 | 4 x 5 x 1.5mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 31 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 100 V | |
最大漏源电阻值 | 107 mΩ | |
最大连续漏极电流 | 3.5 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 四漏极 | |
长度 | 4mm | |
高度 | 1.5mm |