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FDT86102LZ|Fairchild Semiconductor
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FDT86102LZ
制造商型号: FDT86102LZ
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 FDT86102LZ
产品相片 SOT223-3L
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PowerTrench®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.6A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)28 毫欧 @ 6.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1490pF @ 50V
功率 - 最大值1W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223
其它名称FDT86102LZ-ND
FDT86102LZFSTR

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