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FQB3N60CTM|Fairchild Semiconductor
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FQB3N60CTM
制造商型号: FQB3N60CTM
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 FQB3N60C
产品相片 TO-263
PCN Design/Specification Passivation Material 14/May/2008
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列QFET™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)3.4 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)565pF @ 25V
功率 - 最大值75W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D²PAK

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