FQI7N80TU,FQI7N80TU|Fairchild Semiconductor代理分销-FQI7N80TU原装现货,PDF下载
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FQI7N80TU|Fairchild Semiconductor
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FQI7N80TU
制造商型号: FQI7N80TU
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 FQB7N80, FQI7N80
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列QFET™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.6A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.5 欧姆 @ 3.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)52nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1850pF @ 25V
功率 - 最大值3.13W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装I2PAK

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