数据列表 | FQP4N20L |
---|---|
产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | QFET™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.8A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.35 欧姆 @ 1.9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5.2nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 310pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 45W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |