数据列表 | IPB049NE7N3 G |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 75V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 80A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 4.9 毫欧 @ 80A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.8V @ 91µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 68nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4750pF @ 37.5V |
功率 - 最大值 | 150W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
其它名称 | IPB049NE7N3 G-ND IPB049NE7N3G IPB049NE7N3GATMA1 SP000641752 |