IPB083N10N3 G,IPB083N10N3 G|Infineon Technologies代理分销-IPB083N10N3G原装现货,PDF下载
电子元件,电子元器件深圳市创唯电子有限公司
您现在的位置: 首页 > 品牌索引 > Infineon Technologies - IPB083N10N3 G - MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3 - IPB083N10N3G
搜索查看价格,货期,PDF,及最新库存

50个仓库,1500万条库存数据任选
IPB083N10N3 G|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IPB083N10N3 G
制造商型号: IPB083N10N3 G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
数据列表 IPx08xN10N3 G
产品相片 TO-263
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)8.3 毫欧 @ 73A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 75µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3980pF @ 50V
功率 - 最大值125W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装PG-TO263-2
其它名称IPB083N10N3 G-ND
IPB083N10N3G
SP000458812

手机网站相关详细信息:IPB083N10N3 G
旗下站点www.szcwdz.cn相关详细信息: IPB083N10N3 G
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: IPB083N10N3 G
询价
业务受理时间:周一至周五(上午9:00~下午18:00),下午17:00之前的订单当日发货,17:00之后的订单次日发货(周日、节假日顺延),推荐合作货运物流:顺丰快递。快递费用:23元。

  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
类似产品
Copyright(C) 2011-2021 Szcwdz.com 创唯电子 版权所有 备案号:粤ICP备11103613号
专注电子元件代理销售  QQ:800152669  电子邮件:sales@szcwdz.com  电话:400-900-3095