IPI77N06S3-09,IPI77N06S3-09|Infineon Technologies代理分销-IPI77N06S309原装现货,PDF下载
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IPI77N06S3-09|Infineon Technologies
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IPI77N06S3-09
制造商型号: IPI77N06S3-09
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 55V 77A TO-262
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 IPB/IPI/IPP77N06S3-09
产品相片 TO-262-3
产品变化通告 Product Discontinuation 22/Jul/2010
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)77A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)9.1 毫欧 @ 39A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 55µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)103nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)5335pF @ 25V
功率 - 最大值107W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装PG-TO262-3
其它名称IPI77N06S3-09-ND
IPI77N06S3-09IN
IPI77N06S309X
IPI77N06S309XK
SP000088716

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