声明：图片仅供参考，请以实物为准！

产品信息

• 芯片 半桥驱动器 600V
• 器件类型: 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
• 模块配置: 高压侧/低压侧
• 输出电流 峰值: 1A
• 电源电压最小值: 10V
• 电源电压最大值: 20V
• 封装类型: DIP
• 针脚数: 8
• 输入延迟: 80ns
• 输出延时: 75ns
• 工作温度最小值: -40°C
• 工作温度最高值: 125°C
• SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
• 偏移电压: 200V
• 器件标号: 2011
• 封装/箱盒: DIP
• 工作温度范围: -40°C 至 +125°C
• 时间, t off: 60ns
• 时间, t on: 80ns
• 电压 Vcc 最低: 10V
• 电压, Vcc 最大: 20V
• 电源电压范围: 10V 至 20V
• 芯片标号: 2011
• 表面安装器件: 通孔
• 输出数: 2
• 输出电压: 220V
• 输出电压 最大: 20V
• 输出电压 最小: 10V
• 输出电流 汲入型 最小: 1000mA
• 输出电流 流出型 最小: 1000mA
• 输出电流, 最大: 1A
• 输出端吸入电流: 1A
• 逻辑功能号: 2011
• 逻辑芯片功能: 高和低MOS驱动器

产地： US United States

手机网站相关详细信息：IR2011PBF
旗下站点www.szcwdz.cn相关详细信息: IR2011PBF
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: IR2011PBF

询价

业务受理时间：周一至周五（上午9:00～下午18:00），下午17:00之前的订单当日发货，17:00之后的订单次日发货（周日、节假日顺延），推荐合作货运物流：顺丰快递。快递费用：23元。

• *所需产品：
• 型号: IR2011PBF 品牌: INTERNATIONAL RECTIFIER 备注: 芯片 半桥驱动器 600V

• *联系人：

• *联系电话：

• *电子邮箱：

• 备注内容：