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IRFI530G|VISHAY SILICONIX
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IRFI530G
制造商型号: IRFI530G
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 IRFI530G
产品相片 TO-220AB
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)9.7A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)160 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)670pF @ 25V
功率 - 最大值42W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片
供应商器件封装TO-220-3
其它名称*IRFI530G

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