标准包装 : | 800 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 55A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 16.5 毫欧 @ 31A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 67nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 1812pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 115W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
供应商设备封装 : | D2PAK |
包装 : | 带卷 (TR) |