数据列表 | IXF(H,T,X)1(4,5)N100 |
---|---|
产品相片 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HiPerFET™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 1000V(1kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 14A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 750 毫欧 @ 500mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 4mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 220nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4500pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 360W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | PLUS247?-3 |