IXGC16N60B2D1,IXGC16N60B2D1|IXYS代理分销-IXGC16N60B2D1原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IXGC16N60B2(D1) |
|---|---|
| PCN Obsolescence | IGBT’s 600V Legacy 08/May/2013 |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | HiPerFAST™ |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.3V @ 15V，12A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 28A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100A |
| 功率 - 最大值 | 63W |
| Switching Energy | 150mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 32nC |
| Td (on/off) A 25°C | 25ns/70ns |
| Test Condition | 400V，12A，22 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 110ns |
| 封装/外壳 | ISOPLUS220? |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS220? |
