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IXTP1R4N120P|IXYS
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IXTP1R4N120P
制造商型号: IXTP1R4N120P
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 IXT(A,P)1R4N120P
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列Polar™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1.4A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)13 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)24.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)666pF @ 25V
功率 - 最大值86W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220

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