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IXTY01N100D|IXYS
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IXTY01N100D
制造商型号: IXTY01N100D
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 IXT(P,U,Y)01N100D
产品相片 TO-263
标准包装  70
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能耗尽模式
漏源极电压 (Vdss)1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)100mA (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)110 欧姆 @ 50mA,0V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)120pF @ 25V
功率 - 最大值1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装TO-252,(D-Pak)

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