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MUN5212DW1T1G|ON Semiconductor
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MUN5212DW1T1G
制造商型号: MUN5212DW1T1G
制造商: ON Semiconductor
描述: TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 MUN5212DW1, NSBC124EDxx
产品相片 SOT-363 PKG
产品变化通告 Wire Change 08/Jun/2009
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列-
包装  带卷 (TR)  
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)22k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)22k
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)60 @ 5mA,10V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁-
功率 - 最大值250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363
其它名称MUN5212DW1T1G-ND
MUN5212DW1T1GOSTR

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