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NE3512S02-T1D-A|CEL
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NE3512S02-T1D-A
制造商型号: NE3512S02-T1D-A
制造商: CEL
描述: HJ-FET NCH 13.5DB S02
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 NE3512S02
RF Wireless Brochure
PCN Packaging MMIC, RF Transistor 04/Jul/2013
标准包装  10,000
类别分立半导体产品
家庭RF FET
系列-
包装  带卷 (TR)  
晶体管类型HFET
频率12GHz
增益13.5dB
电压 - 测试2V
额定电流70mA
噪声系数0.35dB
电流 - 测试10mA
功率 - 输出-
电压 - 额定4V
封装/外壳4-SMD,扁平引线
供应商器件封装S02

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