数据列表 | NSS35200MR6T1G |
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产品相片 | SC-74, SOT-457 |
产品培训模块 | Low Vce(sat) BJT Power Savings |
产品变化通告 | Wire Change 08/Jun/2009 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 35V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 310mV @ 20mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1.5A,1.5V |
功率 - 最大值 | 625mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
产品目录页面 | 1562 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | NSS35200MR6T1G-ND |