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NTD12N10T4G|ON Semiconductor
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NTD12N10T4G
制造商型号: NTD12N10T4G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 NTD12N10
产品相片 TO-263
产品变化通告 Product Obsolescence 08/Apr/2011
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)12A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)165 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)550pF @ 25V
功率 - 最大值1.28W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装DPAK-3
其它名称NTD12N10T4GOS
NTD12N10T4GOS-ND
NTD12N10T4GOSTR

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