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NTMS4107NR2G|ON Semiconductor
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NTMS4107NR2G
制造商型号: NTMS4107NR2G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 NTMS4107N
产品相片 8-SOIC
产品变化通告 Wire Change 12/May/2009
Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)11A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)4.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)45nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)6000pF @ 15V
功率 - 最大值930mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC N
其它名称NTMS4107NR2G-ND
NTMS4107NR2GOSTR

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