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PH3230S,115
- PH 系列 30 V 3.2 mΩ 62.5 W N沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET - SOT-669 - PH3230S115
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PH3230S,115
制造商型号:
PH3230S,115
制造商:
NXP
描述:
PH 系列 30 V 3.2 mΩ 62.5 W N沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET - SOT-669
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
30 V
Drain-Source On Resistance-Max:
3.2 mΩ
Qg Gate Charge:
42 nC
Rated Power Dissipation:
62.5 W
手机网站相关详细信息:
PH3230S,115
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
PH3230S,115
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*所需产品:
型号: PH3230S,115 品牌: NXP 备注: PH 系列 30 V 3.2 mΩ 62.5 W N沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET - SOT-669
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Q Q:
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