数据列表 | PSMN102-200Y |
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产品相片 | 568-LFPAK-4,SOT669 |
标准包装 | 1,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 21.5A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 102 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 30.7nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1568pF @ 30V |
功率 - 最大值 | 113W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
供应商器件封装 | LFPAK,Power-SO8 |
其它名称 | 568-6544-2 934061323115 PSMN102-200Y T/R PSMN102-200Y T/R-ND PSMN102-200Y,115-ND PSMN102200Y115 |