RW1C020UNT2R,RW1C020UNT2R|Rohm Semiconductor代理分销-RW1C020UNT2R原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | RW1C020UN |
|---|---|
| 产品相片 | WEMT6 Series |
| 标准包装 | 8,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 105 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 2nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 700mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | 6-WEMT |
| 其它名称 | RW1C020UNT2R-ND RW1C020UNT2RTR |
