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SI1051X-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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SI1051X-T1-GE3
制造商型号: SI1051X-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 SI1051X
产品相片 Pkg 5880
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1.2A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)122 毫欧 @ 1.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)9.45nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)560pF @ 4V
功率 - 最大值236mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装SC-89-6
产品目录页面1665 (CN2011-ZH PDF)
其它名称SI1051X-T1-GE3TR
SI1051XT1GE3

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