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SI5440DC-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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SI5440DC-T1-GE3
制造商型号: SI5440DC-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 SI5440DC
产品相片 Pkg 5547
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)19 毫欧 @ 9.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1200pF @ 10V
功率 - 最大值6.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商器件封装1206-8 ChipFET?
其它名称SI5440DC-T1-GE3TR
SI5440DCT1GE3

手机网站相关详细信息:SI5440DC-T1-GE3
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