SI6404DQ-T1-GE3,SI6404DQ-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分销-SI6404DQT1GE3原装现货,PDF下载
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SI6404DQ-T1-GE3
制造商型号: SI6404DQ-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 SI6404DQ
产品相片 8-TSSOP
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8.6A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)9 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)600mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)48nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值1.08W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装8-TSSOP

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