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SI7540DP-T1-GE3|VISHAY
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SI7540DP-T1-GE3
制造商型号: SI7540DP-T1-GE3
制造商: VISHAY
描述: N & P Channel 12 V 0.017/0.032 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 Si7540DP
产品相片 PowerPAK SO-8 Pkg
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)7.6A,5.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)17 毫欧 @ 11.8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)17nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值1.4W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商器件封装PowerPAK? SO-8
产品目录页面1666 (CN2011-ZH PDF)
其它名称SI7540DP-T1-GE3TR
SI7540DPT1GE3

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