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SI9926BDY-T1-E3|VISHAY
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SI9926BDY-T1-E3
制造商型号: SI9926BDY-T1-E3
制造商: VISHAY
描述: 双 N 沟道 20 V 0.02 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 SI9926BDY
产品相片 8-SOIC
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)20 毫欧 @ 8.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值1.14W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC N
产品目录页面1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称SI9926BDY-T1-E3TR

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