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SIJ800DP-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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SIJ800DP-T1-GE3
制造商型号: SIJ800DP-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 SIJ800DP
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)15.6A (Ta), 20A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)9.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2400pF @ 20V
功率 - 最大值35.7W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商器件封装PowerPAK? SO-8

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