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SIZ730DT-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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SIZ730DT-T1-GE3
制造商型号: SIZ730DT-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 30V POWERPAIR 6X3.7
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 SIZ730DT
特色产品 PowerPAIR?
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)16A,35A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)9.3 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)830pF @ 15V
功率 - 最大值27W,48W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-PowerPair?
供应商器件封装6-PowerPair?
其它名称SIZ730DT-T1-GE3TR
SIZ730DTT1GE3

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