数据列表 | SPB04N50C3 |
---|---|
产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 560V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4.5A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 950 毫欧 @ 2.8A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 200µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 22nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 470pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 50W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
其它名称 | SP000014477 SPB04N50C3-ND SPB04N50C3INTR SPB04N50C3XT |