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STB34NM60N|STMicroelectronics
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STB34NM60N
制造商型号: STB34NM60N
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,600V,29A,D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
典型关断延迟时间111 ns
典型接通延迟时间30 ns
典型栅极电荷@Vgs80.4 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds2785 pF V @ 50
安装类型表面贴装
宽度10.4mm
封装类型TO-263
尺寸10.75 x 10.4 x 4.6mm
引脚数目3
最大功率耗散190 W
最大栅源电压±25 V
最大漏源电压600 V
最大漏源电阻值0.11 Ω
最大连续漏极电流29 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度10.75mm
高度4.6mm

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