STB42N65M,STB42N65M|STMicroelectronics代理分销-STB42N65M原装现货,PDF下载
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 65 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 61 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 100 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 4650 pF V @ 100 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 10.4mm | |
| 封装类型 | TO-263 | |
| 尺寸 | 10.75 x 10.4 x 4.6mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大功率耗散 | 190 W | |
| 最大栅源电压 | ±25 V | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.079 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 33 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 10.75mm | |
| 高度 | 4.6mm |
