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STG3P2M10N60B|STMicroelectronics
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STG3P2M10N60B
制造商型号: STG3P2M10N60B
制造商: STMicroelectronics
描述: IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 STG3P2M10N60B
产品相片 SEMITOP2 SERIES
标准包装  15
类别分立半导体产品
家庭IGBT
系列SEMITOP®
IGBT 类型-
配置三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值)600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)2.5V @ 15V,7A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)19A
电流 - 集电极截止(最大值)10µA
不同?Vce 时的输入电容 (Cies)0.72nF @ 25V
功率 - 最大值56W
输入单相桥式整流器
NTC 热敏电阻
安装类型底座安装
封装/外壳SEMITOP?2
供应商器件封装SEMITOP?2
产品目录页面1544 (CN2011-ZH PDF)
配用
497-8401-ND - KIT IGBT PWR MODULE SEMITOP2
497-5512-ND - BOARD EVAL BASED ON SEMITOP 2
其它名称497-5216

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