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STGD3NB60SD-1|STMicroelectronics
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STGD3NB60SD-1
制造商型号: STGD3NB60SD-1
制造商: STMicroelectronics
描述: IGBT N-CH 3A 600V DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 STGD3NB60SD
产品相片 TO-263
标准包装  75
类别分立半导体产品
家庭IGBT - 单路
系列PowerMESH™
包装  管件  
IGBT 类型-
电压 - 集射极击穿(最大值)600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)1.5V @ 15V,3A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)6A
Current - Collector Pulsed (Icm)25A
功率 - 最大值48W
Switching Energy1.15mJ
输入类型标准
Gate Charge18nC
Td (on/off) A 25°C125µs/3.4µs
Test Condition480V, 3A, 1 千欧, 15V
反向恢复时间 (trr)1700ns
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
安装类型表面贴装
供应商器件封装D-Pak
配用
497-8214-ND - 35W ELECTRONIC BALLAST FOR HID L

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