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STL26NM60N|STMicroelectronics
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STL26NM60N
制造商型号: STL26NM60N
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 STL26NM60N
产品相片 PowerFlat 8X8
其它有关文件 STL26NM60N View All Specifications
特色产品 ST - PowerFLAT? 8x8 HV
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列MDmesh™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.7A (Ta), 19A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)185 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1800pF @ 50V
功率 - 最大值125mW
安装类型表面贴装
封装/外壳5-PowerFlat? HV
供应商器件封装5-PowerFlat? HV(8x8)
其它名称497-11207-2

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