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STP11N65M5|STMicroelectronics
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STP11N65M5
制造商型号: STP11N65M5
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N CH 650V 9A TO-220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 STx11N65M5
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
其它有关文件 STP11N65M5 View All Specifications
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列Mdmesh™ V
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)9A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)480 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)644nC @ 100V
功率 - 最大值85W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220
其它名称497-13170

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