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STW42N65M
制造商型号: STW42N65M
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,650V,33A,MDMESH,TO247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
典型关断延迟时间65 ns
典型接通延迟时间61 ns
典型栅极电荷@Vgs100 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds4650 pF V @ 100
安装类型通孔
宽度5.15mm
封装类型TO-247
尺寸15.75 x 5.15 x 20.15mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散190000 mW
最大栅源电压±25 V
最大漏源电压650 V
最大漏源电阻值0.079 Ω
最大连续漏极电流33 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度15.75mm
高度20.15mm

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