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STY80NM60
制造商型号: STY80NM60
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,600V,74A,Max247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
典型关断延迟时间440 ns
典型接通延迟时间50 ns
典型栅极电荷@Vgs360 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds10100 pF V @ 50
安装类型通孔
宽度5.3mm
封装类型Max247
尺寸15.9 x 5.3 x 20.3mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散447000 mW
最大栅源电压±25 V
最大漏源电压600 V
最大漏源电阻值0.035 Ω
最大连续漏极电流74 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度15.9mm
高度20.3mm

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