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TK2Q60D(Q)|Toshiba
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TK2Q60D(Q)
制造商型号: TK2Q60D(Q)
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 TK2Q60D
Mosfets Prod Guide
产品相片 DPAK_369D?01
标准包装  200
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  散装  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)4.3 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)280pF @ 25V
功率 - 最大值60W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装PW-MOLD2
其它名称TK2Q60DQ

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