TPC8212-H(TE12LQ,M,TPC8212-H(TE12LQ,M|Toshiba代理分销-TPC8212HTE12LQM原装现货,PDF下载
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TPC8212-H(TE12LQ,M|Toshiba
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TPC8212-H(TE12LQ,M
制造商型号: TPC8212-H(TE12LQ,M
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 TPC8212-H
Mosfets Prod Guide
产品相片 8-SOIC
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)21 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)840pF @ 10V
功率 - 最大值750mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装8-SOP(5.5x6.0)

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