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ZXMD63C03XT
制造商型号: ZXMD63C03XT
制造商: Diodes/Zetex
描述: MOSFET,双,N/P沟道,30V,2.3A/2A,MSOP8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
典型关断延迟时间13.1(P 通道)ns,9.6(N 通道)ns
典型接通延迟时间2.5(N 通道)ns,2.6(P 通道)ns
典型栅极电荷@Vgs7 nC @ 10 V(P 沟道),8 nC @ 10 V(N 沟道)
典型输入电容值@Vds270 pF @ 25 V(P 沟道),290 pF @ 25 V(N 沟道)
安装类型表面贴装
宽度3.1mm
封装类型MSOP
尺寸3.1 x 3.1 x 0.95mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1250 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.135(N 通道)Ω,0.185(P 通道)Ω
最大连续漏极电流2(P 通道)A,2.3(N 通道)A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N,P
配置双、双漏极
长度3.1mm
高度0.95mm

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